Référence fabricant
H11AA1M
DIP-6 Through Hole Single Channel 30 V 4170 Vrms Phototransistor Optocoupler
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :DIP-6 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2407 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi H11AA1M - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi H11AA1M - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| No of Channels: | 1 |
| Isolation Voltage-RMS: | 4170V |
| Output Voltage-Max: | 30V |
| CTR-Min: | 20% |
| Operating Temp-Max: | 100°C |
| Style d'emballage : | DIP-6 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Fonctionnalités et applications
The H11AAXM series consists of two gallium-arsenide infrared emitting diodes connected in inverse parallel driving a single silicon phototransistor output.
Features:
- Bi-polar emitter input
- Built-in reverse polarity input protection
- Underwriters Laboratory (UL) recognized File#E90700, Volume 2
- VDE approved File #102497 (ordering option ‘V’)
Applications:
- AC line monitor
- Unknown polarity DC sensor
- Telephone line interface
Pricing Section
Stock global :
1 254
États-Unis:
1 254
Délai d'usine :
15 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$0.23
150
$0.225
500
$0.22
2 000
$0.215
7 500+
$0.205
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
DIP-6
Méthode de montage :
Through Hole