Référence fabricant
4N35SR2M
DIP6 SMT Single Channel 30 V 4170 VAC (RMS) Phototransistor Optocoupler
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :DIP-6 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2333 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi 4N35SR2M - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi 4N35SR2M - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| No of Channels: | 1 |
| Isolation Voltage-RMS: | 4170V |
| Output Voltage-Max: | 30V |
| CTR-Min: | 100% |
| Operating Temp-Max: | 100°C |
| Style d'emballage : | DIP-6 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The 4N35SR2M is a general purpose phototransistor optocoupler. It consist of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor.
It has an operating temperature ranging from -55°C to +100°C and its available in DIP-6 package.
Features:
- UL recognized
- VDE recognized
- Collector-Emitter Voltage: 30 V
- Collector-Base Voltage: 70 V
- Emitter-Collector Voltage: 7 V
Applications:
- Power supply regulators
- Digital logic inputs
- Microprocessor inputs
Pricing Section
Stock global :
79 000
États-Unis:
57 000
d’Allemagne (En ligne seulement):
22 000
Délai d'usine :
15 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000
$0.183
3 000
$0.179
4 000
$0.178
10 000
$0.176
15 000+
$0.173
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
DIP-6
Méthode de montage :
Surface Mount