Référence fabricant
TSAL4400
940 nm 100 mA ±25° Through Hole High Power Infrared Emitting Diode - T-1
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| Nom du fabricant: | Vishay | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Bag Style d'emballage :T-1 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2346 | ||||||||||
Product Specification Section
Vishay TSAL4400 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Vishay TSAL4400 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Wavelength: | 940nm |
| Angle of Half Intensity: | ±25° |
| Intensity: | 30mW/cm2 |
| Forward (Drive) Current: | 100mA |
| Forward Voltage: | 1.35V |
| Style d'emballage : | T-1 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Fonctionnalités et applications
The TSAL4400 is a High power infrared, 940 nm emitting diode in GaAlAs/GaAs technology with high radiant power molded in a blue-gray plastic package.
Features:
- Package type: leaded
- Package form: T-1
- Dimensions (in mm): Ø 3
- Peak wavelength: λp = 940 nm
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- Angle of half intensity: ϕ = ± 25°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with Si photodetectors
- Package matches with detector TEFT4300
- Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC
Applications:
- Infrared remote control units
- Free air transmission systems
- Infrared source for optical counters and card readers
Pricing Section
Stock global :
4 781
États-Unis:
4 781
Délai d'usine :
10 Semaines
Quantité
Prix Internet
1
$0.129
250
$0.125
750
$0.121
1 500
$0.118
4 000+
$0.111
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Bag
Style d'emballage :
T-1
Méthode de montage :
Through Hole