Référence fabricant
QEE113
940 nm 50° Emission Angle Clear Epoxy GaAs Side Looker Infrared Emitting Diode
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :500 par Bag Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi QEE113 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi QEE113 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Wavelength: | 940nm |
| Angle of Half Intensity: | ±50° |
| Intensity: | 12mW/sr |
| Forward (Drive) Current: | 50mA |
| Forward Voltage: | 1.5V |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Fonctionnalités et applications
The QEE113 is a 940 nm 50° Emission Angle, Clear Epoxy GaAs Side looker Plastic Infrared Light Emitting Diode. Its Operating Temperature ranges from -40 °C to 100 °C.
Features:
- l = 940 nm
- Package type: sidelooker
- Chip material = GaAs
- Matched photosensor: QSE113
- Medium wide emission angle, 50°
- Package material: clear epoxy
- High output power
- Gray stripe on the top side
Applications:
- Automation
- Building & Home Controls
- Medical Electronics/Devices
- Test and Measurements
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Délai d'usine :
23 Semaines
Quantité
Prix Internet
500
$0.184
1 500
$0.178
2 500
$0.176
7 500
$0.17
12 500+
$0.165
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
500 par Bag
Méthode de montage :
Through Hole