Référence fabricant
HSDL-4260
875 nm 100 mA Through Hole High-Power T-13/4 5 mm AlGaAs Infrared Lamp
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| Nom du fabricant: | LITEON | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Bag Style d'emballage :T-1 3/4 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
LITEON HSDL-4260 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
LITEON HSDL-4260 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Wavelength: | 875nm |
| Angle of Half Intensity: | ±15° |
| Intensity: | 200mW/sr |
| Forward (Drive) Current: | 100mA |
| Forward Voltage: | 1.9V |
| Style d'emballage : | T-1 3/4 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Fonctionnalités et applications
The HSDL-4260 is a High Power Infrared emitter was designed for applications that require high power, low forward voltage and high speed. It utilizes Aluminum Galium Arsenide (AlGaAs) LED technology and is optimized for speed and efficiency at emission wavelengths of 875nm. The material used produces high radiant efficiency over a wide range of currents. The emitter is packaged in clear T-1¾ (5mm) package.
Features:
- High Power AlGaAs LED Technology
- 875nm Wavelength
- T-1¾ Package
- Low Cost
- Low Forward Voltage: 1.4 V at 20 mA
- High Speed: 15ns Rise Times
Applications:
- Industrial Infrared Equipments
- Portable Infrared Instruments
- Consumer Electronics
- High Speed Infrared Communications
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Quantité
Prix Internet
1
$0.193
200
$0.187
400
$0.182
1 250
$0.175
2 500+
$0.165
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Bag
Style d'emballage :
T-1 3/4
Méthode de montage :
Through Hole