Référence fabricant
MR2A08AYS35
MR2A08 Series 512 K x 8 Bit 3.3 V 35 ns Asynchronous MRAM Memory - TSOP II-44
Product Specification Section
Everspin Technologies MR2A08AYS35 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Everspin Technologies MR2A08AYS35 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Memory Density: | 4Mb |
Interface Type: | Parallel |
Memory Organization: | 512 K x 8 |
Supply Voltage-Nom: | 3.3V |
Access Time-Max: | 35ns |
Temperature Range: | 0°C to 70°C |
Style d'emballage : | TSOP II-44 |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The MR2A08AYS35 is a magnetoresistive random access memory (MRAM) device organized as 524,288 words of 8 bits. It is available small footprint 400-mil, 44-lead plastic small-outline TSOP type 2 package.
This device offers SRAM compatible 35 ns read/write timing with unlimited endurance. The data is always non-volatile for greater than 20 years. and is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification.
Features:
- Fast 35ns Read/Write Cycle
- SRAM Compatible Timing, Uses Existing SRAM Controllers Without Redesign
- Unlimited Read & Write Endurance
- Data Always Non-volatile for >20 years at Temperature
- One Memory Replaces Flash, SRAM, EEPROM and BBSRAM in System for Simpler, More Efficient Design
- Replace battery-backed SRAM solutions with MRAM to eliminate battery assembly, improving reliability
- 3.3 Volt Power Supply
- Automatic Data Protection on Power Loss
- Commercial, Industrial, Automotive Temperatures
- RoHS-Compliant SRAM TSOP2 Package
- AEC-Q100 Grade 1 Qualified
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Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Quantité
Prix unitaire
135+
$20.68
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
135 par Tray
Style d'emballage :
TSOP II-44
Méthode de montage :
Surface Mount