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Référence fabricant

NXH80B120MNQ0SNG

Dual-Channel 1200 V 69 A 80 mOhm 69 W SiC Dual Boost Power Module - Q0BOOST

Product Specification Section
onsemi NXH80B120MNQ0SNG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 25V
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1200V
Drain Current: 23A
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temp Range: -40°C to +175°C
Méthode de montage : Chassis Mount
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
N/A
Commande minimale :
1
Multiples de :
1
Total 
53,47 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1
$53.47
4
$52.72
15
$52.02
25
$51.76
50+
$50.92