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Référence fabricant

SCT070W120G3-4AG

Sic PMOSFET 800 - 1200 V POWER TRANSISTORS

Product Specification Section
STMicroelectronics SCT070W120G3-4AG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1200V
Drain Current: 30A
Input Capacitance: 900pF
Power Dissipation: 236W
Operating Temp Range: -55°C to +200°C
Style d'emballage :  TO-247-4
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
8 460
d’Allemagne (En ligne seulement):
8 460
Sur commande :Order inventroy details
210
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
32 Semaines
Commande minimale :
30
Multiples de :
30
Total 
237,30 $
USD
Quantité
Prix unitaire
30
$7.91
90
$7.84
120
$7.83
300
$7.77
450+
$7.72