Référence fabricant
SCT040HU120G3AG
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 1200V, 40 A, 40 m
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2 par Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics SCT040HU120G3AG - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
STMicroelectronics SCT040HU120G3AG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1.2kV |
| Drain Current: | 40A |
| Power Dissipation: | 300W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
40 Semaines
Quantité
Prix Internet
1+
$10.80
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2 par
Méthode de montage :
Surface Mount