text.skipToContent text.skipToNavigation

Référence fabricant

NVH4L022N120M3S

N-Channel 1200 V 68 A 352 W Through Hole Silicon Carbide MOSFET - TO-247-4L

Product Specification Section
onsemi NVH4L022N120M3S - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1200V
Drain Current: 89A
Input Capacitance: 3175pF
Power Dissipation: 348W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  TO-247-4
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Commande minimale :
1
Multiples de :
1
Total 
17,71 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1
$17.71
5
$17.47
20
$17.26
50
$17.13
125+
$16.87