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Référence fabricant

NTHL160N120SC1

N-Channel 1200 V 17 A 119 W Through Hole Silicon Carbide MOSFET - TO-247-3

Product Specification Section
onsemi NTHL160N120SC1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1200V
Drain Current: 17A
Input Capacitance: 665pF
Power Dissipation: 119W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
35
d’Allemagne (En ligne seulement):
35
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Commande minimale :
1
Multiples de :
1
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
4,60 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1
$4.60
15
$4.50
40
$4.44
150
$4.37
400+
$4.24