text.skipToContent text.skipToNavigation

Référence fabricant

NTHL080N120SC1A

N-Channel 1200 V 31 A 178 W Through Hole Silicon Carbide MOSFET-TO-247-3

Product Specification Section
onsemi NTHL080N120SC1A - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1200V
Drain Current: 31A
Input Capacitance: 1112pF
Power Dissipation: 178W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
65
d’Allemagne (En ligne seulement):
65
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
18 Semaines