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Référence fabricant

NTHL060N065SC1

N-Channel 650 V 47 A 176 W Through Hole Silicon Carbide MOSFET - TO-247-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Code de date: 2219
Product Specification Section
onsemi NTHL060N065SC1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 650V
Drain Current: 47A
Input Capacitance: 1473pF
Power Dissipation: 176W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
65
d’Allemagne (En ligne seulement):
65
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Commande minimale :
1
Multiples de :
1
Total 
5,26 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1
$5.26
10
$5.20
40
$5.15
125
$5.11
400+
$5.03