text.skipToContent text.skipToNavigation

Référence fabricant

NTHL045N065SC1

N-Channel 650 V 66 A 291 W Through Hole Silicon Carbide MOSFET - TO-247-3

Product Specification Section
onsemi NTHL045N065SC1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 650V
Drain Current: 66A
Input Capacitance: 1870pF
Power Dissipation: 291W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
65
d’Allemagne (En ligne seulement):
65
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Commande minimale :
1
Multiples de :
1
Total 
6,82 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1
$6.82
5
$6.75
30
$6.66
100
$6.60
300+
$6.50