Référence fabricant
NTHL040N120SC1
N-Channel 1200 V 60 A 348 W Through Hole Silicon Carbide MOSFET - TO-247-3
| | |||||||||||
| | |||||||||||
| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :450 par Style d'emballage :TO-247-3 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2437 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi NTHL040N120SC1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
L'article ne peut être envoyé à certains pays. Voir la liste
L'article ne peut pas être envoyé aux pays suivants:
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi NTHL040N120SC1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain Current: | 60A |
| Input Capacitance: | 1781pF |
| Power Dissipation: | 348W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Style d'emballage : | TO-247-3 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
450
États-Unis:
450
Sur commande :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix unitaire
450+
$12.43
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
450 par
Style d'emballage :
TO-247-3
Méthode de montage :
Through Hole