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onsemi | NTHL040N120M3S

Référence fabricant

NTHL040N120M3S

N-Channel 1200 V 54 A 231 W Through Hole Silicon Carbide MOSFET - TO-247-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2325
Product Specification Section
onsemi NTHL040N120M3S - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1200V
Drain Current: 54A
Input Capacitance: 1700pF
Power Dissipation: 231W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
30
d’Allemagne (En ligne seulement):
30
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Commande minimale :
30
Multiples de :
30
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
154,80 $
USD
Quantité
Prix unitaire
30
$5.16
90
$5.08
150
$5.05
300
$5.00
600+
$4.92
Product Variant Information section