Référence fabricant
NTH4L070N120M3S
N-Channel 1200 V 34 A 160 W Through Hole Silicon Carbide MOSFET - TO-247-4L
| | |||||||||||
| | |||||||||||
| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :1 par Bulk Style d'emballage :TO-247-4 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi NTH4L070N120M3S - Spécifications du produit
Informations de livraison:
L'article ne peut être envoyé à certains pays. Voir la liste
L'article ne peut pas être envoyé aux pays suivants:
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi NTH4L070N120M3S - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1.2kV |
| Drain Current: | 37A |
| Input Capacitance: | 1230pF |
| Power Dissipation: | 252W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Style d'emballage : | TO-247-4 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$3.92
15
$3.84
50
$3.78
150
$3.73
500+
$3.62
Product Variant Information section
Emballages disponibles
- Tube Qté: 30+ / Prix unitaire: $3.81 / Stock: 270 Qté: 30+$3.81 Stock: 270
- Tube Qté: 450+ / Prix unitaire: $3.53 / Stock: 0 Qté: 450+$3.53 Stock: 0
- Tube Qté: 30+ / Prix unitaire: $3.66 / Stock: 0 Qté: 30+$3.66 Stock: 0
- Tube Qté: 1+ / Prix unitaire: $3.77 / Stock: 50 400 Qté: 1+$3.77 Stock: 50 400
- Tube Qté: 1+ / Prix unitaire: $3.77 / Stock: 254 Qté: 1+$3.77 Stock: 254
Qté d'emballage(s) :
1 par Bulk
Style d'emballage :
TO-247-4
Méthode de montage :
Through Hole