Référence fabricant
NTH4L028N170M1
N-Channel 1700 V 81 A 535 W Through Hole Silicon Carbide MOSFET - TO-247-4L
| | |||||||||||
| | |||||||||||
| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :1 par Bulk Style d'emballage :TO-247-4L Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2410 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi NTH4L028N170M1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
L'article ne peut être envoyé à certains pays. Voir la liste
L'article ne peut pas être envoyé aux pays suivants:
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi NTH4L028N170M1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1700V |
| Drain Current: | 81A |
| Input Capacitance: | 4230pF |
| Power Dissipation: | 535W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Style d'emballage : | TO-247-4L |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$24.87
4
$24.57
20
$24.22
40
$24.07
125+
$23.69
Product Variant Information section
Emballages disponibles
- Tube Qté: 1+ / Prix unitaire: $26.81 / Stock: 0 Qté: 1+$26.81 Stock: 0
- Tube Qté: 450+ / Prix unitaire: $26.81 / Stock: 0 Qté: 1+$26.81 Stock: 0
- Tube Qté: 1+ / Prix unitaire: $26.81 / Stock: 0 Qté: 1+$26.81 Stock: 0
- Tube Qté: 1+ / Prix unitaire: $26.81 / Stock: 173 Qté: 1+$26.81 Stock: 173
- Tube Qté: 1+ / Prix unitaire: $26.81 / Stock: 3 600 Qté: 1+$26.81 Stock: 3 600
Qté d'emballage(s) :
1 par Bulk
Style d'emballage :
TO-247-4L
Méthode de montage :
Through Hole