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onsemi | NTH4L015N065SC1

Référence fabricant

NTH4L015N065SC1

NTH4L015N065SC1 Series N-Channel 650 V 18 mOhm Silicon Carbide MOSFET - TO-247-4

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
onsemi NTH4L015N065SC1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 650V
Drain Current: 142A
Input Capacitance: 4790pF
Power Dissipation: 500W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  TO-247-4
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Commande minimale :
1
Multiples de :
1
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
16,08 $
USD
Quantité
Prix Internet
1
$16.08
5
$15.87
25
$15.66
50
$15.57
150+
$15.31
Product Variant Information section