Référence fabricant
NTH4L013N120M3S
N-Channel 1200 V 151 A 682 W Through Hole Silicon Carbide MOSFET - TO-247-4L
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :30 par Tube Style d'emballage :TO-247-4 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2402 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi NTH4L013N120M3S - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi NTH4L013N120M3S - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain Current: | 151A |
| Input Capacitance: | 5813pF |
| Power Dissipation: | 682W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Style d'emballage : | TO-247-4 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
150
d’Allemagne (En ligne seulement):
150
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix unitaire
30
$22.79
60
$22.65
90
$22.57
120
$22.52
150+
$22.34
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-4
Méthode de montage :
Through Hole