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Référence fabricant

NTBG080N120SC1

Single N-Channel 1200 V 30 A 179 W Surface Mount SiC Power Mosfet - D2PAK-7L

Product Specification Section
onsemi NTBG080N120SC1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1200V
Drain Current: 30A
Input Capacitance: 1154pF
Power Dissipation: 179W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  D2PAK-7
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
50
d’Allemagne (En ligne seulement):
50
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Commande minimale :
1
Multiples de :
1
Total 
6,85 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1
$6.85
5
$6.77
30
$6.69
100
$6.63
300+
$6.52