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Référence fabricant

IMW120R014M1HXKSA1

SiC, 1200V, 127A, 14MOHM, N-CHANNEL, PG-TO247-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon IMW120R014M1HXKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1200V
Drain Current: 127A
Input Capacitance: 4580pF
Power Dissipation: 455W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Commande minimale :
1
Multiples de :
1
Total 
18,20 $
USD
Quantité
Prix Internet
1
$18.20
5
$17.95
20
$17.74
50
$17.60
125+
$17.33
Product Variant Information section