Référence fabricant
IMBG120R045M1HXTMA1
1200 V 47A 227 W Surface Mount N-Channel SiC Trench MOSFET - PG-TO263-7-12
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :TO-263-7 (D2PAK7) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IMBG120R045M1HXTMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon IMBG120R045M1HXTMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain Current: | 47A |
| Input Capacitance: | 1527pF |
| Power Dissipation: | 227W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Style d'emballage : | TO-263-7 (D2PAK7) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix Internet
1 000+
$6.13
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-7 (D2PAK7)
Méthode de montage :
Surface Mount