Référence fabricant
STW65N045M9-4
N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO247-4 package
Product Specification Section
STMicroelectronics STW65N045M9-4 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
STMicroelectronics STW65N045M9-4 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: | Active |
Fet Type: | N-Ch |
No of Channels: | 1 |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
Drain-Source On Resistance-Max: | 45mΩ |
Rated Power Dissipation: | 312W |
Qg Gate Charge: | 80nC |
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 30V |
Drain Current: | 54A |
Turn-on Delay Time: | 28ns |
Turn-off Delay Time: | 85ns |
Rise Time: | 10ns |
Fall Time: | 4ns |
Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
Gate Source Threshold: | 3.7V |
Technology: | MDmesh |
Input Capacitance: | 4610pF |
Series: | MDmesh M9 |
Style d'emballage : | TO-247-4 |
Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
600
d’Allemagne (En ligne seulement):
600
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
30
$5.47
90
$5.43
150
$5.41
300
$5.38
600+
$5.34
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-4
Méthode de montage :
Through Hole