Référence fabricant
STP65N150M9
MOSFET N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET
Product Specification Section
STMicroelectronics STP65N150M9 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
STMicroelectronics STP65N150M9 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: | Active |
Fet Type: | N-Ch |
No of Channels: | 1 |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
Drain-Source On Resistance-Max: | 150mΩ |
Rated Power Dissipation: | 140W |
Qg Gate Charge: | 32nC |
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 30V |
Drain Current: | 20A |
Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
Gate Source Threshold: | 3.7V |
Technology: | MDmesh |
Input Capacitance: | 1240pF |
Series: | MDmesh M9 |
Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
1 000
d’Allemagne (En ligne seulement):
1 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
50
$1.49
150
$1.48
500
$1.46
1 000
$1.44
2 000+
$1.42
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole