STP16NF06 in Tube by STMicroelectronics | Mosfet | Future Electronics
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Référence fabricant

STP16NF06

N-Channel 60 V 0.1 Ω 10 nC STripFET™ II MosFet - TO-220

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 1806
Product Specification Section
STMicroelectronics STP16NF06 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60V
Drain-Source On Resistance-Max: 100mΩ
Rated Power Dissipation: 45W
Qg Gate Charge: 10nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 16A
Turn-on Delay Time: 7ns
Turn-off Delay Time: 17ns
Rise Time: 18ns
Fall Time: 6ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 4V
Input Capacitance: 315pF
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage : Through Hole
Fonctionnalités et applications

The STP16NF06 Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique "Single Feature Size™" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density or low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

Features:

  • Exceptional dv/dt capability
  • Low gate charge at 100°C
  • Application oriented characterization

Applications:

  • Switching application
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Pricing Section
Stock global :
2 150
États-Unis:
2 150
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
13 Semaines
Commande minimale :
1
Multiples de :
1
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
0,40 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1
$0.395
100
$0.385
300
$0.375
1 250
$0.365
4 000+
$0.35