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Référence fabricant

STP110N10F7

N-Channel 100 V 7 mOhm Flange Mount STripFET VII DeepGATE Power Mosfet - TO-220

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STP110N10F7 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 7mΩ
Rated Power Dissipation: 150|W
Qg Gate Charge: 72nC
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
50
Total 
1 060,00 $
USD
Quantité
Prix Internet
50
$1.12
200
$1.09
750
$1.06
1 250
$1.05
2 500+
$1.01