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Référence fabricant

STL120N10F8

100V 125A 4.6 mOhm N-ch PowerFLAT 5x6 F8 Power MOSFET

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STL120N10F8 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 4.6mΩ
Rated Power Dissipation: 150W
Qg Gate Charge: 56nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 125A
Turn-on Delay Time: 17ns
Turn-off Delay Time: 41ns
Rise Time: 16ns
Fall Time: 17ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 4V
Input Capacitance: 3600pF
Series: STripFET F8
Style d'emballage :  POWER FLAT
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
2 745,00 $
USD
Quantité
Prix Internet
3 000+
$0.915