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Référence fabricant

STH315N10F7-6

STH315N10F7 Series 100 V 180 A 2.3 mOhm N-Ch STripFET™ F7 Power Mosfet - H PAK-6

Product Specification Section
STMicroelectronics STH315N10F7-6 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 2.3mΩ
Rated Power Dissipation: 315|W
Qg Gate Charge: 180nC
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
1000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
2 520,00 $
USD
Quantité
Prix Internet
1 000+
$2.52