Référence fabricant
STD7N60DM2
N-Channel 600 V 0.9 Ohm Surface Mount MDMESH™DM2 Power Mosfet - DPAK
Product Specification Section
STMicroelectronics STD7N60DM2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
STMicroelectronics STD7N60DM2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: | N-Ch |
No of Channels: | 1 |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
Drain-Source On Resistance-Max: | 0.9Ω |
Rated Power Dissipation: | 60W |
Qg Gate Charge: | 7.5nC |
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 25V |
Drain Current: | 6A |
Turn-on Delay Time: | 10ns |
Turn-off Delay Time: | 12.6ns |
Rise Time: | 6ns |
Fall Time: | 22.6ns |
Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
Gate Source Threshold: | 4V |
Technology: | MDmesh |
Input Capacitance: | 324pF |
Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
200
d’Allemagne (En ligne seulement):
200
Sur commande :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$0.53
15
$0.50
75
$0.48
250
$0.465
1 250+
$0.445
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Cut Tape
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount