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Référence fabricant

STD7N60DM2

N-Channel 600 V 0.9 Ohm Surface Mount MDMESH™DM2 Power Mosfet - DPAK

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2341
Product Specification Section
STMicroelectronics STD7N60DM2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.9Ω
Rated Power Dissipation: 60W
Qg Gate Charge: 7.5nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 25V
Drain Current: 6A
Turn-on Delay Time: 10ns
Turn-off Delay Time: 12.6ns
Rise Time: 6ns
Fall Time: 22.6ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 4V
Technology: MDmesh
Input Capacitance: 324pF
Style d'emballage :  TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
200
d’Allemagne (En ligne seulement):
200
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Commande minimale :
1
Multiples de :
1
Total 
0,53 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1
$0.53
15
$0.50
75
$0.48
250
$0.465
1 250+
$0.445
Product Variant Information section