Référence fabricant
STD65N55F3
N-Channel 55 V 8.5 mOhm Surface Mount STripFET Power MosFet - TO-252
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Style d'emballage :TO-252-3 (DPAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STD65N55F3 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
STMicroelectronics STD65N55F3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 55V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 8.5mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 110W |
| Qg Gate Charge: | 33.5nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 80A |
| Turn-on Delay Time: | 20ns |
| Turn-off Delay Time: | 35ns |
| Rise Time: | 50ns |
| Fall Time: | 11.5ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Input Capacitance: | 2200pF |
| Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$1.14
15
$1.07
75
$1.03
250
$1.00
1 250+
$0.95
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount