Référence fabricant
STD65N160M9
MOSFET N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET
Product Specification Section
STMicroelectronics STD65N160M9 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
STMicroelectronics STD65N160M9 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: | Active |
Fet Type: | N-Ch |
No of Channels: | 1 |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
Drain-Source On Resistance-Max: | 160mΩ |
Rated Power Dissipation: | 106W |
Qg Gate Charge: | 32nC |
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 30V |
Drain Current: | 17A |
Turn-on Delay Time: | 13ns |
Turn-off Delay Time: | 42ns |
Rise Time: | 5ns |
Fall Time: | 6ns |
Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
Gate Source Threshold: | 4.2V |
Input Capacitance: | 1239pF |
Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500+
$1.18
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount