Référence fabricant
STD4NK80ZT4
N-Channel 800 V 3.5 Ω 80 W Surface Mount SuperMESH™ Power MosFet - TO-252
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :TO-252-3 (DPAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STD4NK80ZT4 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
STMicroelectronics STD4NK80ZT4 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 800V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 3.5Ω |
| Rated Power Dissipation: | 80|W |
| Qg Gate Charge: | 22.5nC |
| Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The STD4NK80ZT4 is a N-channel Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. The SuperMESH™ series is obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH™ layout.
In addition to pushing on-resistance significantly down, it also ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Such series complements STs' full range of high voltage MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products. It has an Operating temperature ranges b/w -55 °C to 150 °C and available in a DPAK Package.
Features:
- 100% avalanche tested
- Extremely high dv/dt capability
- Very low intrinsic capacitance
- Gate charge minimized
- Very good manufacturing repeatibility
Applications:
- Switching applications
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
13 Semaines
Quantité
Prix Internet
2 500
$0.755
5 000+
$0.73
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount