Référence fabricant
SPD02N80C3ATMA1
Single N-Channel 800 V 2.7 mOhm 16 nC CoolMOS™ Power Mosfet - PG-TO252-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :TO-252-3 (DPAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2331 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon SPD02N80C3ATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
Assembly Site/Material Change
03/07/2022 Détails et téléchargement
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon SPD02N80C3ATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 800V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 2.7Ω |
| Rated Power Dissipation: | 42W |
| Qg Gate Charge: | 12nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 2A |
| Turn-on Delay Time: | 25ns |
| Turn-off Delay Time: | 72ns |
| Rise Time: | 15ns |
| Fall Time: | 18ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Technology: | CoolMOS |
| Input Capacitance: | 290pF |
| Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
2 500
d’Allemagne (En ligne seulement):
2 500
Sur commande :
0
Délai d'usine :
15 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.295
5 000
$0.29
10 000
$0.285
12 500+
$0.28
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount