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Référence fabricant

SI2301CDS-T1-GE3

P-CH MOSFET SOT-23 20V 112MOHM @ 4.5V - LEAD(PB) AND HALOGEN FREE

Product Specification Section
Vishay SI2301CDS-T1-GE3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.112Ω
Rated Power Dissipation: 1.6|W
Qg Gate Charge: 10nC
Style d'emballage :  SOT-23 (SC-59,TO-236)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
9 000
États-Unis:
9 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
288,90 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0963
6 000
$0.0947
12 000
$0.0931
15 000
$0.0926
45 000+
$0.0896