Référence fabricant
SI1308EDL-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 0.4 W 4.1 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-323
Product Specification Section
Vishay SI1308EDL-T1-GE3 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Vishay SI1308EDL-T1-GE3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: | N-Ch |
No of Channels: | 1 |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
Drain-Source On Resistance-Max: | 0.185Ω |
Rated Power Dissipation: | 0.4W |
Qg Gate Charge: | 4.1nC |
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 12V |
Drain Current: | 1.5A |
Turn-on Delay Time: | 2ns |
Turn-off Delay Time: | 8ns |
Rise Time: | 20ns |
Fall Time: | 12ns |
Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
Gate Source Threshold: | 1.5V |
Technology: | Si |
Height - Max: | 1mm |
Length: | 2.2mm |
Input Capacitance: | 105pF |
Style d'emballage : | SOT-323 (SC-70) |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
147 000
États-Unis:
33 000
d’Allemagne (En ligne seulement):
114 000
Délai d'usine :
8 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0962
6 000
$0.0946
12 000
$0.093
15 000
$0.0926
45 000+
$0.0895
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-323 (SC-70)
Méthode de montage :
Surface Mount