text.skipToContent text.skipToNavigation

Référence fabricant

RJK0328DPB-01#J0

RJK0328DPB Series N-Channel 30 V 2.9 mOhm 42 nC Switching MosFet - LFPAK-5

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Renesas
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2332
Product Specification Section
Renesas RJK0328DPB-01#J0 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30V
Drain-Source On Resistance-Max: 2.9mΩ
Rated Power Dissipation: 65|W
Qg Gate Charge: 42nC
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The RJK0328DPB-01#J0 is a silicon N channel power mosfet. It is designed for high current switching application.

Features:

  • High speed switching
  • Capable of 4.5 V gate drive
  • Low drive current
  • High density mounting
  • Low on-resistance
  • RDS(on) = 1.6 mΩ typ. (at VGS = 10 V)
  • Pb-free

View the complete family of RJK Mosfets

Pricing Section
Stock global :
2 500
d’Allemagne (En ligne seulement):
2 500
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
Total 
3 275,00 $
USD
Quantité
Prix Internet
2 500+
$1.31
Product Variant Information section