Référence fabricant
QS6M3TR
Dual N/ P-Channel 30 V/20 V 1.25 W 360 mOhm Drive MosFet SMT-TSMT-6
Product Specification Section
ROHM QS6M3TR - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
ROHM QS6M3TR - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: | Dual N/P-Ch |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V/20V |
Drain-Source On Resistance-Max: | 360mΩ |
Rated Power Dissipation: | 1.25|W |
Qg Gate Charge: | 1.6nC |
Style d'emballage : | TSMT-6 |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
111 000
États-Unis:
111 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Quantité
Prix Internet
3 000
$0.182
6 000
$0.178
9 000
$0.176
12 000
$0.175
15 000+
$0.17
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
TSMT-6
Méthode de montage :
Surface Mount