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Référence fabricant

PSMN7R0-100BS,118

PSMN7R0 Series 100 V 100 A 6.8 mOhm N-Channel Standard Level MOSFET - D2PAK-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Nexperia
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Nexperia PSMN7R0-100BS,118 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 6.8mΩ
Rated Power Dissipation: 269|W
Qg Gate Charge: 125nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 100A
Turn-on Delay Time: 34.6ns
Turn-off Delay Time: 103.9ns
Rise Time: 45.6ns
Fall Time: 49.5ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 3V
Height - Max: 4.5mm
Length: 10.3mm
Input Capacitance: 6686pF
Style d'emballage :  TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
13 Semaines
Commande minimale :
4800
Multiples de :
800
Total 
4 992,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
800
$1.06
2 400
$1.05
4 000+
$1.04
Product Variant Information section