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Référence fabricant

PSMN4R8-100BSEJ

PSMN4R8 Series 100 V 4.8 mOhm 278 nC N-Channel Standard Level Mosfet - D2PAK

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Nexperia
Emballage standard:
Code de date: 2430
Product Specification Section
Nexperia PSMN4R8-100BSEJ - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 100V
Drain-Source On Resistance-Max: 4.8mΩ
Rated Power Dissipation: 405W
Qg Gate Charge: 278nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 120A
Turn-on Delay Time: 41ns
Turn-off Delay Time: 127ns
Rise Time: 65ns
Fall Time: 69ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 4V
Technology: Si
Height - Max: 4.5mm
Length: 10.3mm
Input Capacitance: 10665pF
Style d'emballage :  TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
2 400
d’Allemagne (En ligne seulement):
2 400
Sur commande :Order inventroy details
4 800
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
13 Semaines
Commande minimale :
800
Multiples de :
800
Total 
1 424,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
800
$1.78
1 600+
$1.75