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Référence fabricant

PSMN4R2-30MLDX

Single N-Channel 30 V 5.7 mOhm 29.3 nC 65 W Silicon Mosfet - LFPAK-33

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Nexperia
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2347
Product Specification Section
Nexperia PSMN4R2-30MLDX - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30V
Drain-Source On Resistance-Max: 5.7MΩ
Rated Power Dissipation: 65W
Qg Gate Charge: 29.3nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 70A
Turn-on Delay Time: 10.1ns
Turn-off Delay Time: 12ns
Rise Time: 18.5ns
Fall Time: 8.7ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 2.2V
Technology: Si
Height - Max: 0.9mm
Length: 3.4mm
Input Capacitance: 1197pF
Style d'emballage :  LFPAK-33
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
4 500
d’Allemagne (En ligne seulement):
4 500
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
10 Semaines
Commande minimale :
1500
Multiples de :
1500
Total 
232,50 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1 500
$0.155
4 500
$0.152
6 000
$0.151
15 000
$0.149
22 500+
$0.147
Product Variant Information section