Référence fabricant
PSMN3R7-100BSEJ
PSMN3R7 Series 100 V 120 A 3.95 mOhm N-Channel Standard Level Mosfet - D2PAK
Product Specification Section
Nexperia PSMN3R7-100BSEJ - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Nexperia PSMN3R7-100BSEJ - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: | N-Ch |
No of Channels: | 1 |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
Drain-Source On Resistance-Max: | 3.95mΩ |
Rated Power Dissipation: | 405W |
Qg Gate Charge: | 176nC |
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
Drain Current: | 120A |
Turn-on Delay Time: | 40ns |
Turn-off Delay Time: | 98ns |
Rise Time: | 64ns |
Fall Time: | 69ns |
Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
Gate Source Threshold: | 2.66V |
Input Capacitance: | 11692pF |
Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
13 Semaines
Quantité
Prix unitaire
800
$2.00
1 600+
$1.97
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
800 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount