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Référence fabricant

PSMN102-200Y,115

PSMN102 Series 200 V 21.5A N-Ch. TrenchMOS SiliconMAX Standard Level FET - LFPAK

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Nexperia
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2348
Product Specification Section
Nexperia PSMN102-200Y,115 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 200V
Drain-Source On Resistance-Max: 102mΩ
Rated Power Dissipation: 113W
Qg Gate Charge: 30.7nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 21.5A
Turn-on Delay Time: 14.2ns
Turn-off Delay Time: 33ns
Rise Time: 29.5ns
Fall Time: 28ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 3V
Technology: TrenchMOS
Input Capacitance: 1568pF
Style d'emballage :  SOT-669
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
34 500
d’Allemagne (En ligne seulement):
34 500
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
10 Semaines
Commande minimale :
1500
Multiples de :
1500
Total 
607,50 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1 500
$0.405
3 000
$0.40
6 000
$0.395
7 500+
$0.39
Product Variant Information section