Référence fabricant
PSMN013-100YSEX
PSMN013 Series 100 V 238 W 75 nC SMT N-Channel Standard Level MOSFET - SOT-669
Product Specification Section
Nexperia PSMN013-100YSEX - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Nexperia PSMN013-100YSEX - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: | N-Ch |
No of Channels: | 1 |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
Drain-Source On Resistance-Max: | 13mΩ |
Rated Power Dissipation: | 238W |
Qg Gate Charge: | 75nC |
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
Drain Current: | 82A |
Turn-on Delay Time: | 16ns |
Turn-off Delay Time: | 42ns |
Rise Time: | 23ns |
Fall Time: | 21ns |
Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
Gate Source Threshold: | 4V |
Technology: | Si |
Height - Max: | 1.05mm |
Length: | 5mm |
Input Capacitance: | 3775pF |
Pricing Section
Stock global :
10 500
d’Allemagne (En ligne seulement):
10 500
Sur commande :
0
Délai d'usine :
13 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 500
$0.60
3 000
$0.595
4 500
$0.59
6 000+
$0.58
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1500 par Reel