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Référence fabricant

PMGD175XNEX

Dual N-Channel 30 V 252 mOhm Surface Mount Trench Mosfet - SOT-363

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Nexperia
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Nexperia PMGD175XNEX - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: Dual N-Ch
No of Channels: 2
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30V
Drain-Source On Resistance-Max: 252mΩ
Rated Power Dissipation: 390mW
Qg Gate Charge: 1.05nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 12V
Drain Current: 0.95A
Turn-on Delay Time: 7ns
Turn-off Delay Time: 17ns
Rise Time: 14ns
Fall Time: 6ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 1V
Input Capacitance: 81pF
Style d'emballage :  SOT-363 (SC-70-6, SC-88)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
6 Semaines
Commande minimale :
9000
Multiples de :
3000
Total 
838,80 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0948
6 000
$0.0932
12 000
$0.0917
15 000
$0.0912
45 000+
$0.0882
Product Variant Information section