Référence fabricant
NTR1P02LT1G
Single P-Channel 20 V 0.35 Ohm 3.1 nC 400 mW Silicon SMT Mosfet - SOT-23
Product Specification Section
onsemi NTR1P02LT1G - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi NTR1P02LT1G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: | P-Ch |
No of Channels: | 1 |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
Drain-Source On Resistance-Max: | 220mΩ |
Rated Power Dissipation: | 400mW |
Qg Gate Charge: | 3.1nC |
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 12V |
Drain Current: | 1.3A |
Turn-on Delay Time: | 7ns |
Turn-off Delay Time: | 18ns |
Rise Time: | 15ns |
Fall Time: | 9ns |
Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
Gate Source Threshold: | 1V |
Input Capacitance: | 225pF |
Style d'emballage : | SOT-23 (SC-59,TO-236) |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
12 000
d’Allemagne (En ligne seulement):
12 000
Délai d'usine :
13 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0462
9 000
$0.0451
15 000
$0.0446
30 000
$0.0439
60 000+
$0.0428
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-23 (SC-59,TO-236)
Méthode de montage :
Surface Mount