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onsemi | NTH4L040N120M3S

Référence fabricant

NTH4L040N120M3S

1200 V 54A 231W Through Hole N-Channel Silicon Carbide MOSFET - TO-247-4L

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
onsemi NTH4L040N120M3S - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1200V
Drain-Source On Resistance-Max: 20Ω
Rated Power Dissipation: 319W
Qg Gate Charge: 106nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 58A
Turn-on Delay Time: 30ns
Turn-off Delay Time: 51ns
Rise Time: 36ns
Fall Time: 20ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 4.3V
Technology: SiC
Input Capacitance: 1762pF
Series: NVH4L
Style d'emballage :  TO-247-4
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Commande minimale :
450
Multiples de :
30
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
3 096,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
30
$7.04
90
$6.99
120
$6.97
300
$6.92
450+
$6.88
Product Variant Information section