Référence fabricant
NP83P06PDG-E1-AY
NP83P06PDG Series P-Channel 60 V 8.8 mOhm 190 nC Switching MosFet - TO-263
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| Nom du fabricant: | Renesas | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :800 par Cut Tape Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Renesas NP83P06PDG-E1-AY - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Renesas NP83P06PDG-E1-AY - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 8.8mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 150|W |
| Qg Gate Charge: | 190nC |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The NP83P06PDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
Features:
- Super low on-state resistance
- RDS(on)1 = 8.8 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −41.5 A)
- RDS(on)2 = 12 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −41.5 A)
- High current rating: ID(DC) = m83 A
Applications:
- Various motor solenoid drives for automotive applications
- High-side switches for office equipment.
View the complete family of NP83 Mosfets
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix Internet
1
$2.11
10
$1.98
40
$1.91
125
$1.85
400+
$1.76
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
800 par Cut Tape
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount