Référence fabricant
NP36P06KDG-E1-AY
NP36P06KDG Series P-Channel 60 V 29.5 mOhm 54 nC Switching MOSFET - TO-263
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| Nom du fabricant: | Renesas | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :800 par Cut Tape Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Renesas NP36P06KDG-E1-AY - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Renesas NP36P06KDG-E1-AY - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 29.5mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 56|W |
| Qg Gate Charge: | 54nC |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The NP36P06KDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
Features:
- Super low on-state resistance
- RDS(on)1 = 29.5 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −18 A)
- RDS(on)2 = 37.5 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −18 A)
- Low input capacitance
- Ciss = 3100 pF TYP.
Applications:
- Various motor solenoid drives for automotive applications
- High-side switches for office equipment.
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix Internet
1
$1.42
10
$1.33
40
$1.28
125
$1.25
400+
$1.18
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
800 par Cut Tape
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount