Référence fabricant
NP100P06PDG-E1-AY
NP100P06PDG P-Channel 60 V 7.8 mOhm 200 W 300 nC Switching MosFet - TO-263
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| Nom du fabricant: | Renesas | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :800 par Reel Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2431 | ||||||||||
Product Specification Section
Renesas NP100P06PDG-E1-AY - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Renesas NP100P06PDG-E1-AY - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 7.8mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 200|W |
| Qg Gate Charge: | 300nC |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The NP100P06PDG-E1-AY is a part of NP100P06PDG series P-Channel switching power MOSFET. It has a storage temperature ranging from -55°C to +175°C and its available in TO-263 package.
The NP100P06PDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
Features:
- Super low on-state resistance:
- RDS(on)1 = 6.0 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −50 A)
- RDS(on)2 = 7.8 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −50 A)
- High current rating: ID(DC) = ±100 A
View the available family of P-Channel switching power MOSFET
Pricing Section
Stock global :
800
d’Allemagne (En ligne seulement):
800
Sur commande :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix Internet
800
$2.44
1 600+
$2.38
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
800 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount